Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated
ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 175 MHz
Pd - Power Dissipation 1810 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
DC Current Gain hFE Max 300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 2.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN25100
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN25100DFHTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 175 MHz
Pd - Power Dissipation 1810 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
DC Current Gain hFE Max 300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 2.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN25100
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN25100DFHTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet