Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated

ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated

ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated
ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN5551ZTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max 80 at 1 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 0.6 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN555
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN5551ZTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max 80 at 1 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 0.6 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN555
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN5551ZTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet