История:
BA82901YF-CE2
APT36GA60B
APT54GA60B
APT50GP60B2DQ2G
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
Артикул:
ZXTP01500BGQTC
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 500 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 500 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 500 mV
Gain Bandwidth Product fT
60 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 150 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
DC Current Gain hFE Max
300
Factory Pack Quantity
4000
Maximum DC Collector Current
- 500 mA
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
ZXTP01500B
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Описание
Биполярный транзистор ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP01500BGQTC , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 500 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 500 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 500 mV
Gain Bandwidth Product fT
60 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 150 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
DC Current Gain hFE Max
300
Factory Pack Quantity
4000
Maximum DC Collector Current
- 500 mA
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
ZXTP01500B
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Описание
Биполярный транзистор ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP01500BGQTC Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP01500BGQTC , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

