Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated

ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated

ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTP19100CGTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 100 V
Collector- Base Voltage VCBO - 110 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 130 mV
Gain Bandwidth Product fT 142 MHz
Pd - Power Dissipation 5300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at - 2 A, - 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at - 100 mA, -2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current - 2 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTP191
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP19100CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 100 V
Collector- Base Voltage VCBO - 110 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 130 mV
Gain Bandwidth Product fT 142 MHz
Pd - Power Dissipation 5300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at - 2 A, - 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at - 100 mA, -2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current - 2 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTP191
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP19100CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet