Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 110 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 130 mV
Gain Bandwidth Product fT
142 MHz
Pd - Power Dissipation
5300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
20 at - 2 A, - 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at - 100 mA, -2 V
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
- 2 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZXTP191
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP19100CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 110 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 130 mV
Gain Bandwidth Product fT
142 MHz
Pd - Power Dissipation
5300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
20 at - 2 A, - 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at - 100 mA, -2 V
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
- 2 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZXTP191
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTP19100CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTP19100CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.