ZXTP2008GTA
ZXTP2008GTA
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
110 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTP2008GTA
Биполярный транзистор - ZXTP2008GTA
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTP2008GTA Diodes Incorporated.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
110 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTP2008GTA
Биполярный транзистор - ZXTP2008GTA
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTP2008GTA Diodes Incorporated.