ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTA
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 195 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTP2012GTA Биполярный транзистор - ZXTP2012GTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTP2012GTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 195 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTP2012GTA Биполярный транзистор - ZXTP2012GTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTP2012GTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet