Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DTA114TU3HZGT106

DTA114TU3HZGT106

DTA114TU3HZGT106
DTA114TU3HZGT106
Артикул: DTA114TU3HZGT106
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: DTA114TU3HZGT106
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 100 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-323-3
Описание
DTA114TU3HZGT106 Биполярный транзистор - DTA114TU3HZGT106
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 100 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-323-3
Описание
DTA114TU3HZGT106 Биполярный транзистор - DTA114TU3HZGT106
Скачать datasheet