Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DTB113ECHZGT116

DTB113ECHZGT116

DTB113ECHZGT116
DTB113ECHZGT116
Артикул: DTB113ECHZGT116
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: DTB113ECHZGT116
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 33
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 500 mA
Peak DC Collector Current - 500 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-23-3
Описание
DTB113ECHZGT116 Биполярный транзистор - DTB113ECHZGT116
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 33
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 500 mA
Peak DC Collector Current - 500 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-23-3
Описание
DTB113ECHZGT116 Биполярный транзистор - DTB113ECHZGT116
Скачать datasheet