Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DTB123YUT106

DTB123YUT106

DTB123YUT106
DTB123YUT106
Артикул: DTB123YUT106
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: DTB123YUT106
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 56
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 500 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case UMT-3
Описание
DTB123YUT106 Биполярный транзистор - DTB123YUT106
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 56
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Continuous Collector Current - 500 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case UMT-3
Описание
DTB123YUT106 Биполярный транзистор - DTB123YUT106
Скачать datasheet