DTB123YUT106
DTB123YUT106
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
56
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 500 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
UMT-3
Описание
DTB123YUT106
Биполярный транзистор - DTB123YUT106
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTB123YUT106 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
56
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 500 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
UMT-3
Описание
DTB123YUT106
Биполярный транзистор - DTB123YUT106
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTB123YUT106 ROHM Semiconductor.