DTD113ZUT106
DTD113ZUT106
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
82
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
500 mA
Peak DC Collector Current
500 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
DTD113ZUT106
Биполярный транзистор - DTD113ZUT106
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTD113ZUT106 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
82
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
500 mA
Peak DC Collector Current
500 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
DTD113ZUT106
Биполярный транзистор - DTD113ZUT106
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTD113ZUT106 ROHM Semiconductor.