DTDG14GPT100
DTDG14GPT100
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
300
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Continuous Collector Current
0.041666666666667
Peak DC Collector Current
1000 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-89-3
Описание
DTDG14GPT100
Биполярный транзистор - DTDG14GPT100
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTDG14GPT100 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
300
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Continuous Collector Current
0.041666666666667
Peak DC Collector Current
1000 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-89-3
Описание
DTDG14GPT100
Биполярный транзистор - DTDG14GPT100
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - DTDG14GPT100 ROHM Semiconductor.