EMB10FHAT2R
EMB10FHAT2R
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Continuous Collector Current
- 100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-563-6
Описание
EMB10FHAT2R
Биполярный транзистор - EMB10FHAT2R
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - EMB10FHAT2R ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Continuous Collector Current
- 100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-563-6
Описание
EMB10FHAT2R
Биполярный транзистор - EMB10FHAT2R
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - EMB10FHAT2R ROHM Semiconductor.