EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
0.1 A
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
357 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-553-5
Описание
EMD4DXV6T1G
Биполярный транзистор - EMD4DXV6T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - EMD4DXV6T1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
0.1 A
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
357 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-553-5
Описание
EMD4DXV6T1G
Биполярный транзистор - EMD4DXV6T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - EMD4DXV6T1G ON Semiconductor.