IMB11AT110
IMB11AT110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
30
Continuous Collector Current
- 50 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMB11AT110
Биполярный транзистор - IMB11AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMB11AT110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
30
Continuous Collector Current
- 50 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMB11AT110
Биполярный транзистор - IMB11AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMB11AT110 ROHM Semiconductor.