История:
V39CH8X3313
GMA-1.5-R
GTCA36-351M-R10-FT
IMB9AT110
IMB9AT110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
68
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 70 mA
Peak DC Collector Current
- 100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMB9AT110
Биполярный транзистор - IMB9AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMB9AT110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
68
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 70 mA
Peak DC Collector Current
- 100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMB9AT110
Биполярный транзистор - IMB9AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMB9AT110 ROHM Semiconductor.