IMD10AMT1G
IMD10AMT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
68
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
500 mA
Pd - Power Dissipation
285 mW
Package/Case
SC-74R
Описание
IMD10AMT1G
Биполярный транзистор - IMD10AMT1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD10AMT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
68
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
500 mA
Pd - Power Dissipation
285 mW
Package/Case
SC-74R
Описание
IMD10AMT1G
Биполярный транзистор - IMD10AMT1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD10AMT1G ON Semiconductor.