История:
PBSS4360PASX
C8051F547-AM
MBR2X050A150
IMD10AT108
IMD10AT108
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 500 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMD10AT108
Биполярный транзистор - IMD10AT108
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD10AT108 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 500 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMD10AT108
Биполярный транзистор - IMD10AT108
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD10AT108 ROHM Semiconductor.