IMD2AT108
IMD2AT108
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
56
Continuous Collector Current
30 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMD2AT108
Биполярный транзистор - IMD2AT108
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD2AT108 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
56
Continuous Collector Current
30 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMD2AT108
Биполярный транзистор - IMD2AT108
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMD2AT108 ROHM Semiconductor.