IMH21T110
IMH21T110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
820
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Continuous Collector Current
600 mA
Peak DC Collector Current
600 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SMT-6
Описание
IMH21T110
Биполярный транзистор - IMH21T110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMH21T110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
820
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Continuous Collector Current
600 mA
Peak DC Collector Current
600 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SMT-6
Описание
IMH21T110
Биполярный транзистор - IMH21T110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMH21T110 ROHM Semiconductor.