IMH4AT110
IMH4AT110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMH4AT110
Биполярный транзистор - IMH4AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMH4AT110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Описание
IMH4AT110
Биполярный транзистор - IMH4AT110
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMH4AT110 ROHM Semiconductor.