MMUN2135LT1G
MMUN2135LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
246 mW
Package/Case
SOT-23-3
Описание
MMUN2135LT1G
Биполярный транзистор - MMUN2135LT1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMUN2135LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
246 mW
Package/Case
SOT-23-3
Описание
MMUN2135LT1G
Биполярный транзистор - MMUN2135LT1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMUN2135LT1G ON Semiconductor.