Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G
Артикул: MMUN2233LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: MMUN2233LT1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 80, 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 246 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-23-3
Описание
MMUN2233LT1G Биполярный транзистор - MMUN2233LT1G
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 80, 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 246 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-23-3
Описание
MMUN2233LT1G Биполярный транзистор - MMUN2233LT1G
Скачать datasheet