История:
ATSAMD21E16L-AFT
ATSAMD21E18A-AFT
R5F51308ADFM
ATSAMD21E15L-AFT
BK1/GMC-1-R
L4004D3TP
BK1/GMC-5-R
CG32.0
ATSAMD20J18A-CU
CG34.0
L4004D6RP
ATSAMD21E17A-AFT
R5F51305ADFM
ATSAMD21E15B-AF
ATSAMD21E15B-MF
ATSAMD21E16B-AF
R5F52107CDFM
ATSAMD21E16B-MF
SPC5644CF0VLU8
ATSAMD20J17A-CN
ATM04-2P
R5F52108BDFB
ATSAMD20J16A-CN
R5F5210ABDFB
ATSAMD20J17A-CU
JANTX1N6115A
ATSAMD21E15B-MFT
ATSAMD21E17L-MF
ATSAMD21E17L-AF
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - Pre-Biased
MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 0.1 A
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SC-88-6
Описание
MUN5112DW1T1G
Биполярный транзистор - MUN5112DW1T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5112DW1T1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 0.1 A
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SC-88-6
Описание
MUN5112DW1T1G
Биполярный транзистор - MUN5112DW1T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5112DW1T1G ON Semiconductor.