Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MUN5112T1G

MUN5112T1G

MUN5112T1G
MUN5112T1G
Артикул: MUN5112T1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: MUN5112T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 202 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SC-70-3
Описание

MUN5112T1G

Биполярный транзистор - MUN5112T1G

Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5112T1G ON Semiconductor.

Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 202 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SC-70-3
Описание

MUN5112T1G

Биполярный транзистор - MUN5112T1G

Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5112T1G ON Semiconductor.

Скачать datasheet