История:
R5F51306ADFM
R5F52105BDFM
MF-USMF175-2
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - Pre-Biased
MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
256 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-363(PB-Free)-6
Описание
MUN5113DW1T1G
Биполярный транзистор - MUN5113DW1T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5113DW1T1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
- 100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
256 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-363(PB-Free)-6
Описание
MUN5113DW1T1G
Биполярный транзистор - MUN5113DW1T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5113DW1T1G ON Semiconductor.