MUN5214T1G
MUN5214T1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
202 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SC-70-3
Описание
MUN5214T1G
Биполярный транзистор - MUN5214T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5214T1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
202 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SC-70-3
Описание
MUN5214T1G
Биполярный транзистор - MUN5214T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5214T1G ON Semiconductor.