Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G
Артикул: MUN5311DW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: MUN5311DW1T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 187 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SC-88-6
Описание
MUN5311DW1T1G Биполярный транзистор - MUN5311DW1T1G
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN, PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min 35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 187 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SC-88-6
Описание
MUN5311DW1T1G Биполярный транзистор - MUN5311DW1T1G
Скачать datasheet