Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G
Артикул: NSTB60BDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: NSTB60BDW1T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current - 150 mA
Peak DC Collector Current 150 mA
Pd - Power Dissipation 256 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-363-6
Описание
NSTB60BDW1T1G Биполярный транзистор - NSTB60BDW1T1G
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current - 150 mA
Peak DC Collector Current 150 mA
Pd - Power Dissipation 256 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case SOT-363-6
Описание
NSTB60BDW1T1G Биполярный транзистор - NSTB60BDW1T1G
Скачать datasheet