NSVBCP69T1G
NSVBCP69T1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
50
Maximum Operating Frequency
60 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Continuous Collector Current
0.041666666666667
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
TO-261-4
Описание
NSVBCP69T1G
Биполярный транзистор - NSVBCP69T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBCP69T1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
50
Maximum Operating Frequency
60 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Continuous Collector Current
0.041666666666667
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
TO-261-4
Описание
NSVBCP69T1G
Биполярный транзистор - NSVBCP69T1G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBCP69T1G ON Semiconductor.