PDTB114EUX
PDTB114EUX
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Nexperia
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Package/Case
SOT-323-3
Описание
PDTB114EUX
Биполярный транзистор - PDTB114EUX
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - PDTB114EUX Nexperia.
Характеристики
Manufacturer
Nexperia
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Package/Case
SOT-323-3
Описание
PDTB114EUX
Биполярный транзистор - PDTB114EUX
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - PDTB114EUX Nexperia.