Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F
RN1101MFV,L3F
Артикул: RN1101MFV,L3F
Производитель: Toshiba
Описание: RN1101MFV,L3F
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Toshiba
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case VESM-3
Описание
RN1101MFV,L3F Биполярный транзистор - RN1101MFV,L3F
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Toshiba
Transistor Polarity NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Package/Case VESM-3
Описание
RN1101MFV,L3F Биполярный транзистор - RN1101MFV,L3F
Скачать datasheet