История:
8EDGVC-3.81-02P
PIC32MX150F128BT-I/SO
MJS 2-R
RN1106,LF(CT
RN1106,LF(CT
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
100 mW
Package/Case
SOT-416-3
Описание
RN1106,LF(CT
Биполярный транзистор - RN1106,LF(CT
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1106,LF(CT Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
100 mW
Package/Case
SOT-416-3
Описание
RN1106,LF(CT
Биполярный транзистор - RN1106,LF(CT
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1106,LF(CT Toshiba.