Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - Pre-Biased
RN1108MFV,L3F
RN1108MFV,L3F
RN1108MFV,L3F
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
VESM-3
Описание
RN1108MFV,L3F
Биполярный транзистор - RN1108MFV,L3F
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1108MFV,L3F Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
VESM-3
Описание
RN1108MFV,L3F
Биполярный транзистор - RN1108MFV,L3F
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1108MFV,L3F Toshiba.