История:
RN2108,LF(CT
RN2103,LF(CT
VGAS120626F540DP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - Pre-Biased
RN1110MFV,L3F
RN1110MFV,L3F
RN1110MFV,L3F
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-723-3
Описание
RN1110MFV,L3F
Биполярный транзистор - RN1110MFV,L3F
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1110MFV,L3F Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
SOT-723-3
Описание
RN1110MFV,L3F
Биполярный транзистор - RN1110MFV,L3F
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - RN1110MFV,L3F Toshiba.