UMB4NTN
UMB4NTN
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
UMT-6
Описание
UMB4NTN
Биполярный транзистор - UMB4NTN
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - UMB4NTN ROHM Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Continuous Collector Current
- 100 mA
Peak DC Collector Current
100 mA
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package/Case
UMT-6
Описание
UMB4NTN
Биполярный транзистор - UMB4NTN
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - UMB4NTN ROHM Semiconductor.