История:
EFD12/6/3.5-3C90-A100-S
2LS20017E42W36702
2LS20017E42W36702
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor,IGBT-Module 2LS20017E42W36702: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor,IGBT-Module 2LS20017E42W36702: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

