Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2PS12017E34W32132NOSA1

2PS12017E34W32132NOSA1

2PS12017E34W32132NOSA1
2PS12017E34W32132NOSA1
Артикул: 2PS12017E34W32132NOSA1
Описание: 2PS12017E34W32132NOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS12017E34W32132NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS12017E34W32132NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet