Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2PS13512E43W35222NOSA1

2PS13512E43W35222NOSA1

2PS13512E43W35222NOSA1
2PS13512E43W35222NOSA1
Артикул: 2PS13512E43W35222NOSA1
Описание: 2PS13512E43W35222NOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS13512E43W35222NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS13512E43W35222NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet