Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2PS18012E44G38553NOSA1

2PS18012E44G38553NOSA1

2PS18012E44G38553NOSA1
2PS18012E44G38553NOSA1
Артикул: 2PS18012E44G38553NOSA1
Описание: 2PS18012E44G38553NOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS18012E44G38553NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 2PS18012E44G38553NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet