Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
6MS24017E33W32859NOSA1

6MS24017E33W32859NOSA1

6MS24017E33W32859NOSA1
6MS24017E33W32859NOSA1
Артикул: 6MS24017E33W32859NOSA1
Описание: 6MS24017E33W32859NOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS24017E33W32859NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS24017E33W32859NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet