6MS30017E43W34404NOSA1
6MS30017E43W34404NOSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS30017E43W34404NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS30017E43W34404NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

