История:
96MPXEB-2.2-25M20T
SD-M12T-04P-MM-SH8A50
P11/7-3C91
P11/7-3C95
LSP05GI480PH
STGWT20H60DF
SD-M12T-04P-FF-SF8A50
SD-M12T-04P-MM-SF8B50
P36/22-3H3-E315/N
X1180-01-XT201-3A
96MPXE-2.1-16M36A
TM4C1299KCZADI3R
ADCMP573BCPZ-R2
T87/54/14-3E27
TR/89096-013
P36/22-3H3-A630/N
LH8066803102705S RF7S
96MPXEB-2.4-25M20T
P26/16-3H3-A250/N
6PS03012E33G34160
6PS03012E33G34160
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS03012E33G34160: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6PS03012E33G34160: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

