Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
A1P35S12M3-F

A1P35S12M3-F

A1P35S12M3-F
A1P35S12M3-F
Артикул: A1P35S12M3-F
Описание: A1P35S12M3-F
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P35S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P35S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet