Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4
APT100GT120JRDQ4
Артикул: APT100GT120JRDQ4
Описание: APT100GT120JRDQ4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 123 A
Power Dissipation 570 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT120JRDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 123 A
Power Dissipation 570 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT100GT120JRDQ4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet