Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

APT150GN60B2G
APT150GN60B2G
Артикул: APT150GN60B2G
Описание: APT150GN60B2G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 536 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60B2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 536 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GN60B2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet