Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT150GT120JR

APT150GT120JR

APT150GT120JR
APT150GT120JR
Артикул: APT150GT120JR
Описание: APT150GT120JR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Gate-Emitter Leakage Current 900 nA
Continuous Collector Current 170 A
Power Dissipation 830 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GT120JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Gate-Emitter Leakage Current 900 nA
Continuous Collector Current 170 A
Power Dissipation 830 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GT120JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet