Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT200GN60J

APT200GN60J

APT200GN60J
APT200GN60J
Артикул: APT200GN60J
Описание: APT200GN60J
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 283 A
Power Dissipation 682 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GN60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 283 A
Power Dissipation 682 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GN60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet