Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT200GT60JR

APT200GT60JR

APT200GT60JR
APT200GT60JR
Артикул: APT200GT60JR
Описание: APT200GT60JR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 195 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 195 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT200GT60JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet