Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

APT35GT120JU3
APT35GT120JU3
Артикул: APT35GT120JU3
Описание: APT35GT120JU3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 260 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT35GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 260 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT35GT120JU3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet