Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT40GP90JDQ2

APT40GP90JDQ2

APT40GP90JDQ2
APT40GP90JDQ2
Артикул: APT40GP90JDQ2
Описание: APT40GP90JDQ2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 64 A
Power Dissipation 284 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT40GP90JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 64 A
Power Dissipation 284 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT40GP90JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet